TPIC6B273DWR 150mA/ch ပါသော Octal D-type လပ်ချိတ်

TPIC6B273 သည် အလွန်မြင့်မားသောဝန်ပါဝါလိုအပ်သောစနစ်များတွင်အသုံးပြုရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် DMOS-transistor အထွက်များပါရှိသော ပါဝါယုတ္တိဗေဒအဋ္ဌကထာ D-type ပါဝါယုတ္တိဗေဒဆိုင်ရာ၊ ဗို့အားမြင့်၊ အလယ်အလတ်လက်ရှိ၊ monolithic၊စက်တွင် inductive transient အကာအကွယ်အတွက် အထွက်များပေါ်တွင် တပ်ဆင်ထားသော ဗို့အားကုပ်တစ်ခုပါရှိသည်။ပါဝါဒရိုက်ဗာအပလီကေးရှင်းများတွင် ဓာတ်လှေကားများ၊ ဆိုလီနွိုက်များနှင့် အခြားသော အလယ်အလတ်လက်ရှိ သို့မဟုတ် ဗို့အားမြင့်များ ပါဝင်သည်။

TPIC6B273 တွင် positive-edge ရှစ်ခုပါရှိသည်။
တိုက်ရိုက်ရှင်းလင်းသောထည့်သွင်းမှုဖြင့် D-type flip-flops ကို အစပျိုးခဲ့သည်။flip-flop တစ်ခုစီတွင် open-drain power DMOS-transistor output ပါရှိသည်။

ရှင်းရှင်းလင်းလင်း (CLR\) မြင့်မားသောအခါ၊ တပ်ဆင်မှုအချိန်လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသော D inputs မှအချက်အလက်များကို အပြုသဘောဆောင်သော DRAIN ရလဒ်များသို့ လွှဲပြောင်းပေးပါသည်။
Going edge of the clock (CLK) သွေးခုန်နှုန်း။နာရီအစပျိုးခြင်းသည် သီးခြားဗို့အားအဆင့်တွင် ဖြစ်ပေါ်ပြီး positive-going pulse ၏ အကူးအပြောင်းအချိန်နှင့် တိုက်ရိုက်မသက်ဆိုင်ပါ။နာရီထည့်သွင်းမှု (CLK) သည် မြင့်မားသော သို့မဟုတ် အနိမ့်အဆင့်တွင် ရှိနေသောအခါ၊ D input signal သည် အထွက်တွင် သက်ရောက်မှုမရှိပါ။DMOS-ထရန်စစ္စတာ အထွက် ရှစ်ခုလုံးကို ပိတ်ရန် အပြိုင်အဆိုင် CLR\ ကို ပံ့ပိုးထားသည်။ပေးထားသော output တစ်ခုအတွက် ဒေတာနည်းပါးသောအခါ၊ DMOS-transistor အထွက်ကို ပိတ်သွားပါမည်။ဒေတာများလွန်းသောအခါ၊ DMOS-transistor အထွက်သည် sink-current စွမ်းရည်ရှိသည်။

အထွက်များသည် အနိမ့်ပိုင်း၊ အဖွင့် DMOS ဖြစ်သည်။
50 V နှင့် 150-mA စဉ်ဆက်မပြတ် နစ်မြုပ်-လက်ရှိ စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ထရန်စစ္စတာများ။အထွက်တစ်ခုစီသည် 500-mA ပုံမှန်လက်ရှိကန့်သတ်ချက်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။
T_C= 25°C။အပိုစက်ပစ္စည်းကာကွယ်ရေးအတွက် လမ်းဆုံအပူချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ လက်ရှိကန့်သတ်ချက်သည် လျော့ကျသွားပါသည်။

TPIC6B273 သည် -40°C မှ 125°C အတွင်း လည်ပတ်ဆောင်ရွက်သည့် အပူချိန်အကွာအဝေးထက် လုပ်ဆောင်ချက်အတွက် ထူးခြားချက်ဖြစ်သည်။