TUSB212IRWBR 3.6-V၊ 3-A
TUSB212IRWBR 3.6-V၊ 3-A
TPS22925 အတွက်အင်္ဂါရပ်များ
●Input Voltage Range: 0.65 V မှ 3.6 V အထိ
●On-Resistance
○RONV တွင် = 9.2 mΩIN= 3.6 V
○RONV တွင် = 9.2 mΩIN= 1.8 V
○RONV တွင် = 10.2 mΩIN= 1 V
○RONV တွင် = 13.1 mΩIN= 0.65 V
●3-အမြင့်ဆုံး အဆက်မပြတ် ကူးပြောင်း Current
●Qiescent Current၊ Iမေး၊ VINV တွင် = 29 µAIN= 3.6 V
●Low Control Input Threshold သည် 1.5-၊ 1.8-၊ 2.5- သို့မဟုတ် 3.3-V Logic ကိုဖွင့်သည်
●ထိန်းချုပ်ထားသော Slew နှုန်း
○tRV တွင် = 97 µsIN = 3.6 V (TPS22925Bx)
○tRV တွင် = 810 µsIN= 3.6 V (TPS22925Cx)
●Reverse Current Blocking (ပိတ်ထားသည့်အခါ)
●Quick Output Discharge (QOD) (TPS22925B နှင့် TPS22925C သာ)
● Wafer Chip စကေးပက်ကေ့ချ်-
○0.9 mm × 1.4 mm, 0.5-mm Pitch, 0.4-mm အမြင့်
●ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို JESD 22 နှုန်းဖြင့် စမ်းသပ်ထားသည်။
○2-kV HBM နှင့် 1-kV CDM
TPS22925 ၏ ရှင်းလင်းချက်
TPS22925 ထုတ်ကုန်မိသားစုတွင် TPS22925B၊ TPS22925BN၊ TPS22925C နှင့် TPS22925CN စက်ပစ္စည်းလေးခုပါဝင်သည်။စက်တစ်ခုစီသည် ထိန်းချုပ်မှုနှုန်းဖြင့် 9-mΩ၊ single-channel load switch တစ်ခုဖြစ်သည်။
စက်များတွင် အဝင်ဗို့အား 0.65 V မှ 3.6 V အထိ လည်ပတ်နိုင်သော N-channel MOSFET ပါ၀င်ပြီး အမြင့်ဆုံး 3 A ၏ ဆက်တိုက်လျှပ်စီးကြောင်းကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည် ။ ဤစဉ်ဆက်မပြတ်လျှပ်စီးကြောင်းသည် စက်ပစ္စည်းများကို ဒီဇိုင်းမျိုးစုံနှင့် အဆုံးစက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။TPS22925 စက်ပစ္စည်းတစ်ခုစီသည် ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် ပါဝါ multiplexing စွမ်းရည်များကို ပိတ်ထားသည့်အခါတွင် ပြောင်းပြန်လက်ရှိပိတ်ဆို့ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
စက်ပစ္စည်းအတွက် ထိန်းချုပ်ထားသည့် မြင့်တက်ချိန်သည် ကြီးမားသောဝန်ထုပ်ဝန်ပိုးကြောင့်ဖြစ်ရသည့် inrush လျှပ်စီးကြောင်းကို များစွာလျှော့ချပေးကာ၊ ထို့ကြောင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုကျဆင်းမှုကို လျှော့ချခြင်း သို့မဟုတ် ဖယ်ရှားပေးသည်။အဝင်ဗို့အား 3.6 V ဖြင့် လည်ပတ်သောအခါ၊ TPS22925Bx စက်ပစ္စည်းများသည် 97 µs မြင့်တက်ချိန်နှင့် TPS22925Cx စက်ပစ္စည်းများတွင် 810 µs မြင့်တက်ချိန်ကို ပါရှိသည်။
ခလုတ်ကိုပိတ်သည့်အခါ TPS22925 မိသားစုသည် စိတ်ကြိုက်ပေါင်းစပ်ထားသော၊ 150-Ω ဆွဲချလိုက်သောခုခံမှုတစ်ခုအား ပေးဆောင်ခြင်းဖြင့် စုစုပေါင်းဖြေရှင်းချက်အရွယ်အစားကို လျှော့ချနိုင်မည်ဖြစ်သည်။TPS22925 စက်ပစ္စည်းတစ်ခုစီကို 0.9 mm × 1.4 mm၊ 0.5-mm pitch၊ 0.4-mm အမြင့် 6-pin wafer chip စကေးပက်ကေ့ဂျ် (WCSP) ဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။WCSP နှင့် on-resistance ၏ 9 mΩ သည် ကန့်သတ်ထားသော အာကာသဓာတ်အားသုံး အက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုခွင့်ပေးသည်။စက်ပစ္စည်းသည် လွတ်လပ်သောလေထုအပူချိန်အကွာအဝေး -40°C မှ +105°C ကျော်လွန်လည်ပတ်ရန်အတွက် ထူးခြားချက်ဖြစ်သည်။
1. မင်းရဲ့ R&D ဌာနက ဝန်ထမ်းတွေက ဘယ်သူတွေလဲ။မင်းရဲ့အရည်အချင်းကဘာလဲ။
-R & D ဒါရိုက်တာ- ကုမ္ပဏီ၏ ရေရှည် R&D အစီအစဉ်ကို ရေးဆွဲပြီး သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဆိုင်ရာ ဦးတည်ချက်ကို ဆုပ်ကိုင်ပါ။ကုမ္ပဏီ r&d မဟာဗျူဟာနှင့် နှစ်စဉ် R&D အစီအစဉ်ကို အကောင်အထည်ဖော်ရန် r&d ဌာနကို လမ်းညွှန်ပြီး ကြီးကြပ်ပါ။ထုတ်ကုန်တိုးတက်မှုကို ထိန်းချုပ်ပြီး အစီအစဉ်ကို ချိန်ညှိပါ။အလွန်ကောင်းမွန်သော ထုတ်ကုန်သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအဖွဲ့၊ စာရင်းစစ်နှင့် သက်ဆိုင်သည့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ပုဂ္ဂိုလ်များကို လေ့ကျင့်ပေးပါသည်။
R&D မန်နေဂျာ- ထုတ်ကုန်အသစ် R&D အစီအစဉ်ကို ပြုလုပ်ပြီး အစီအစဉ်၏ ဖြစ်နိုင်ခြေကို သရုပ်ပြပါ။r&d အလုပ်၏ တိုးတက်မှုနှင့် အရည်အသွေးကို ကြီးကြပ်စီမံပါ။ထုတ်ကုန်အသစ်များကို သုတေသနပြုပြီး နယ်ပယ်အသီးသီးတွင် ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ ထိရောက်သောဖြေရှင်းနည်းများကို အဆိုပြုပါ။
R&d ဝန်ထမ်းများ- အဓိကဒေတာကို စုဆောင်းပြီး ခွဲထုတ်ပါ။ကွန်ပျူတာပရိုဂရမ်ရေးဆွဲခြင်း;စမ်းသပ်မှုများ၊ စမ်းသပ်မှုများနှင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုများ ပြုလုပ်ခြင်း၊စမ်းသပ်မှုများ၊ စမ်းသပ်မှုများနှင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုများအတွက် ပစ္စည်းများနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ပါ။တိုင်းတာမှုဒေတာကိုမှတ်တမ်းတင်ပါ၊ တွက်ချက်မှုများပြုလုပ်ရန်နှင့်ဇယားများကိုပြင်ဆင်ပါ။စာရင်းအင်းစစ်တမ်းများလုပ်ဆောင်ပါ။
2. သင့်ထုတ်ကုန်သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဆိုင်ရာ အကြံဉာဏ်သည် အဘယ်နည်း။
- ထုတ်ကုန်အယူအဆနှင့် ရွေးချယ်မှု ထုတ်ကုန်အယူအဆနှင့် အကဲဖြတ်ခြင်း ထုတ်ကုန် အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက် နှင့် ပရောဂျက်အစီအစဉ် ဒီဇိုင်းနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ထုတ်ကုန်စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် စျေးကွက်သို့ တရားဝင်စတင်ခြင်း
